為應對未來市場需求，6月22日，存儲器廠商南亞科12英寸廠正式動工。資料顯示，南亞科計劃投資新臺幣3000億元建設一座雙層無塵室12英寸新廠，新廠基地包含“主廠房”、“研發大樓”及“水資源再生中心”，同時，為應對未來對先進制程導入的需求，還將興建EUV極紫外光曝光微影設備獨立廠房。

據悉，新廠將采用南亞科自主研發的10納米級制程技術生產DRAM芯片，并將運用“AI智慧制造”技術，全面提升制程效率。新廠規劃分三階段進行擴建，完成后月產能可達到4.5萬片晶圓，預計2025年開始裝機投片量產。

眾所周知，DRAM是所有電子產品智能化時代的關鍵零組件之一，也是半導體產業極為重要的一環，廣泛應用在智能手機、個人電腦、服務器等各個領域。

近年來，受高通脹、俄烏沖突等因素影響，消費性電子需求疲弱，使得下半年DRAM產業面臨挑戰，整體DRAM庫存上升。AI、大數據、5G等發展迅速，DRAM市場需求也持續上升，也推動各大廠商擴產步伐。

除了南亞科新廠動工之外，美國存儲器大廠美光在日本廣島縣現有工廠附近新建的新工廠近期也傳來了新的進展。

據日本東京電視臺本月初報道，美光投資8000億日元建設的新工廠計劃在今年下半年開始生產1β制程的DRAM產品。該工廠計劃于2024年正式開始投入運營，主要生產在數據中心廣泛使用的DRAM芯片，日本政府有望提供部分資金支持。

根據美光此前披露的技術路線圖，其計劃在2022年底前推出的1β DRAM產品，將可為圖形、HBM3和汽車等領域提供良好的性能，美光還將在1γ DRAM工藝中引入EUV技術。此外，美光計劃，在今后十年間在全球投資1500億美元